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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.37 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 150 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-205AF |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 20 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 14 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 160 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 100 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFF221R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-205AF |
|
| IRFF222 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRFF222 | RENESAS |
获取价格 |
3A, 200V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
|
| IRFF222R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-205AF |
|
| IRFF223 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-39 |
|
| IRFF223R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-205AF |
|
| IRFF230 | INTERSIL |
获取价格 |
5.5A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
|
| IRFF230 | SEME-LAB |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT |
|
| IRFF230 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFF230 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
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