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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFF231R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-205AF |
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| IRFF232 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-205AF |
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| IRFF232R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-205AF |
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| IRFF233 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| IRFF233 | ROCHESTER |
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4.5A, 150V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
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| IRFF233R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-205AF |
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| IRFF310 | INTERSIL |
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1.35A, 400V, 3.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
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| IRFF310 | INFINEON |
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REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET剖T |
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| IRFF310 | SEME-LAB |
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N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 |
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| IRFF310 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 1.35A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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