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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFF312 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 1.15A I(D), 400V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFF312 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 1.15A I(D), 400V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFF312 | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 1.15A I(D), 400V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFF312R | FAIRCHILD |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,400V V(BR)DSS,1.15A I(D),TO-205AF |
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| IRFF313 | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 1.15A I(D), 350V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFF313 | ROCHESTER |
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1.15A, 350V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
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| IRFF313 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| IRFF313R | FAIRCHILD |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,1.15A I(D),TO-205AF |
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| IRFF320 | INFINEON |
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REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS |
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| IRFF320 | INTERSIL |
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2.5A, 400V, 1.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
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采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
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