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IRFF230

更新时间： 2024-01-12 23:51:28

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N-CHANNEL ENHANCEMENT

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IRFF230 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.71
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	85 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5.5 A
最大漏极电流 (ID)：	5.5 A	最大漏源导通电阻：	0.4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-205AF
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	25 W
最大功率耗散 (Abs)：	25 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	22 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	90 ns
最大开启时间（吨）：	80 ns	Base Number Matches：	1

IRFF230 数据手册

IRFF230

2N6798

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm (inches)

8.64 (0.34)

9.40 (0.37)

N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE TRANSISTOR

8.01 (0.315)

9.01 (0.355)

4.06 (0.16)

4.57 (0.18)

0.89

(0.035)

max.

12.70

(0.500)

min.

0.41 (0.016)

0.53 (0.021)

dia.

FEATURES

• V

= 200V

(BR)DSS

5.08 (0.200)

typ.

• I = 5.5A

2.54

(0.100)

= 0.40

• R

DSON

0.74 (0.029)

1.14 (0.045)

0.71 (0.028)

0.53 (0.021)

45°

TO–39 PACKAGE (TO-205AF)

Underside View

PIN 1 – Source

PIN 2 – Gate

PIN 3 – Drain

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= 25°C unless otherwise stated)

case

Drain–Source Voltage

200V

20V

Gate–Source Voltage

Drain Current Continuous T

= 25°C

5.5A

3.5A

22A

Case

= 100°C

Case

Drain Current Pulsed

Total Device Dissipation @ T

= 25°C

25W

10W

Case

= 100°C

Case

T , T

Operating and Storage Junction Temperature Range

THERMAL CHARACTERISTICS

–55 to +150°C

STG

Thermal Resistance Junction to Case

Thermal Resistance Junction to Ambient

Maximum Lead Temperature 1.6mm from Case for

10 secs.

5.0°C/W

175°C/W

θJC

θJA

300°C

Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed

to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.

Semelab encourages customers to verify that datasheets are current before placing orders.

Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

Document Number 3096

E-mail: sales@semelab.co.uk

Website: http://www.semelab.co.uk

Issue 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFF230R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 5.5A I(D) \| TO-205AF
IRFF231	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 5.5A I(D) \| TO-205AF
IRFF231R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 5.5A I(D) \| TO-205AF
IRFF232	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 4.5A I(D) \| TO-205AF
IRFF232R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 4.5A I(D) \| TO-205AF
IRFF233	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRFF233	ROCHESTER	获取价格	4.5A, 150V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF
IRFF233R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 4.5A I(D) \| TO-205AF
IRFF310	INTERSIL	获取价格	1.35A, 400V, 3.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET
IRFF310	INFINEON	获取价格	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET剖T

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