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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.37 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 400 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.15 A | 最大漏源导通电阻： | 5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-205AF |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 4.5 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFF312R | FAIRCHILD |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,400V V(BR)DSS,1.15A I(D),TO-205AF |
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| IRFF313 | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 1.15A I(D), 350V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFF313 | ROCHESTER |
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1.15A, 350V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
|
| IRFF313 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| IRFF313R | FAIRCHILD |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,1.15A I(D),TO-205AF |
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| IRFF320 | INFINEON |
获取价格 |
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS |
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| IRFF320 | INTERSIL |
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2.5A, 400V, 1.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
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| IRFF320PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 1.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRFF320R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-205AF |
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| IRFF321 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-205AF |
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