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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.38 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 350 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.15 A | 最大漏源导通电阻： | 5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-205AF |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 4.5 A | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFF313R | FAIRCHILD |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,1.15A I(D),TO-205AF |
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| IRFF320 | INFINEON |
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REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS |
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| IRFF320 | INTERSIL |
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2.5A, 400V, 1.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
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| IRFF320PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 1.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFF320R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-205AF |
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| IRFF321 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-205AF |
|
| IRFF321R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-205AF |
|
| IRFF322 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| IRFF322R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-205AF |
|
| IRFF323 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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