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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFF320 | INFINEON |
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REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS |
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| IRFF320 | INTERSIL |
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2.5A, 400V, 1.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
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| IRFF320PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 1.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFF320R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-205AF |
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| IRFF321 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-205AF |
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| IRFF321R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-205AF |
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| IRFF322 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| IRFF322R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-205AF |
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| IRFF323 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| IRFF323R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-205AF |
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采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
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