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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | BCY |
| 包装说明： | HERMETIC SEALED, TO-39, 3 PIN | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.11 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 0.82 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 400 V | 最大漏极电流 (ID)： | 1.25 A |
| 最大漏源导通电阻： | 4.15 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-205AF | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 5.5 A |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFF310R | FAIRCHILD |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,400V V(BR)DSS,1.35A I(D),TO-205AF |
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| IRFF310SCC5205/014PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
|
| IRFF311 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.35A I(D), 350V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFF311 | FAIRCHILD |
获取价格 |
1.35A, 350V, 3.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
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| IRFF311R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 1.35A I(D) | TO-205AF |
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| IRFF312 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.15A I(D), 400V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFF312 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.15A I(D), 400V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFF312 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.15A I(D), 400V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFF312R | FAIRCHILD |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,400V V(BR)DSS,1.15A I(D),TO-205AF |
|
| IRFF313 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.15A I(D), 350V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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