5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.76 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 350 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.35 A | 最大漏源导通电阻： | 3.6 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-205 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFF311R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 1.35A I(D) | TO-205AF |
|
| IRFF312 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.15A I(D), 400V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFF312 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.15A I(D), 400V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFF312 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.15A I(D), 400V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFF312R | FAIRCHILD |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,400V V(BR)DSS,1.15A I(D),TO-205AF |
|
| IRFF313 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.15A I(D), 350V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFF313 | ROCHESTER |
获取价格 |
1.15A, 350V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
|
| IRFF313 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| IRFF313R | FAIRCHILD |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,1.15A I(D),TO-205AF |
|
| IRFF320 | INFINEON |
获取价格 |
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS |
|
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
解读L9904TR手册资料：产品概述、主要功能、电气参数
芯片底部填充工艺：提升电子设备可靠性的关键步骤
REF03GPZ资料解读：主要特征、技术参数、应用场景
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
