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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.38 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 350 V | 最大漏极电流 (ID)： | 1.35 A |
| 最大漏源导通电阻： | 3.6 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-205AF | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 5.5 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFF311R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 1.35A I(D) | TO-205AF |
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| IRFF312 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 1.15A I(D), 400V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFF312 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 1.15A I(D), 400V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFF312 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.15A I(D), 400V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFF312R | FAIRCHILD |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,400V V(BR)DSS,1.15A I(D),TO-205AF |
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| IRFF313 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.15A I(D), 350V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFF313 | ROCHESTER |
获取价格 |
1.15A, 350V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
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| IRFF313 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| IRFF313R | FAIRCHILD |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,1.15A I(D),TO-205AF |
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| IRFF320 | INFINEON |
获取价格 |
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS |
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