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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.38 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 150 V | 最大漏极电流 (ID)： | 4.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.6 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-205AF | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 18 A |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFF233R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-205AF |
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| IRFF310 | INTERSIL |
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1.35A, 400V, 3.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
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| IRFF310 | INFINEON |
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REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET剖T |
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| IRFF310 | SEME-LAB |
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N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 |
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| IRFF310 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.35A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFF310 | ROCHESTER |
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1.25A, 400V, 4.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-39, 3 PI |
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| IRFF310 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 400V 1.25A 3-Pin TO-39 |
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| IRFF310R | FAIRCHILD |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,400V V(BR)DSS,1.35A I(D),TO-205AF |
|
| IRFF310SCC5205/014PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
|
| IRFF311 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.35A I(D), 350V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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