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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.63 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.2 A | 最大漏源导通电阻： | 1.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-205 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFF210R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-205AF |
|
| IRFF211 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| IRFF211R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-205AF |
|
| IRFF212 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 200V 7.5A 3-Pin TO-39 |
|
| IRFF212R | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 200V 7.5A 3-Pin TO-39 |
|
| IRFF213 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 150V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFF213 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 150V 7.5A 3-Pin TO-39 |
|
| IRFF213R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 1.8A I(D) | TO-205AF |
|
| IRFF220 | SEME-LAB |
获取价格 |
N–CHANNEL POWER MOSFET |
|
| IRFF220 | INTERSIL |
获取价格 |
3.5A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
|
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