5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFF220-2 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 3.5 A, 200 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205, FET General Purpos |
|
| IRFF220R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-205AF |
|
| IRFF221 | RENESAS |
获取价格 |
3.5A, 150V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
|
| IRFF221 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| IRFF221R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-205AF |
|
| IRFF222 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRFF222 | RENESAS |
获取价格 |
3A, 200V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
|
| IRFF222R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-205AF |
|
| IRFF223 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-39 |
|
| IRFF223R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-205AF |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
