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| 生命周期： | Active | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.67 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 3.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.8 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-205 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFF220R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-205AF |
|
| IRFF221 | RENESAS |
获取价格 |
3.5A, 150V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
|
| IRFF221 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| IRFF221R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-205AF |
|
| IRFF222 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRFF222 | RENESAS |
获取价格 |
3A, 200V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
|
| IRFF222R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-205AF |
|
| IRFF223 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-39 |
|
| IRFF223R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-205AF |
|
| IRFF230 | INTERSIL |
获取价格 |
5.5A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
|
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