是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.74 | Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 30 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 200 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 2.2 A | 最大漏极电流 (ID): | 2.2 A |
最大漏源导通电阻: | 1.5 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-205AF | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 15 W | 最大功率耗散 (Abs): | 15 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 9 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 30 ns | 最大开启时间(吨): | 40 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
IRFF210R | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-205AF |
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IRFF211 | VISHAY | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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IRFF211R | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-205AF |
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IRFF212 | NJSEMI | Trans MOSFET N-CH 200V 7.5A 3-Pin TO-39 |
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IRFF212R | NJSEMI | Trans MOSFET N-CH 200V 7.5A 3-Pin TO-39 |
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IRFF213 | VISHAY | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 150V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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