是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.89 | 雪崩能效等级(Eas): | 69 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 80 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 8 A |
最大漏极电流 (ID): | 8 A | 最大漏源导通电阻: | 0.18 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-205AF |
JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 25 W |
最大功率耗散 (Abs): | 25 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 32 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 最大关闭时间(toff): | 250 ns |
最大开启时间(吨): | 200 ns |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFF131R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-205AF |
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IRFF132 | GE |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS |
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IRFF132R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-205AF |
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IRFF133 | GE |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS |
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IRFF133R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-205AF |
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IRFF210 | INTERSIL |
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2.2A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
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IRFF210 | INFINEON |
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REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET剖T |
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IRFF210 | SEME-LAB |
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N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 |
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IRFF210 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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IRFF210R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-205AF |
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