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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IRFF133R | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-205AF |
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| IRFF210 | INTERSIL | 2.2A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
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| IRFF210 | INFINEON | REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET剖T |
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| IRFF210 | SEME-LAB | N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 |
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| IRFF210 | VISHAY | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFF210R | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-205AF |
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