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IRFF210

更新时间： 2024-02-07 01:17:41

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描述
N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39

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IRFF210 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	30 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.2 A	最大漏极电流 (ID)：	2.2 A
最大漏源导通电阻：	1.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-205AF	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	15 W	最大功率耗散 (Abs)：	15 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	9 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	30 ns	最大开启时间（吨）：	40 ns
Base Number Matches：	1

IRFF210 数据手册

IRFF210

Dimensions in mm (inches).

N-Channel MOSFET

8.64 (0.34)

9.40 (0.37)

8.01 (0.315)

9.01 (0.355)

in a

Hermetically sealed TO39

Metal Package.

4.06 (0.16)

4.57 (0.18)

0.89

max.

(0.035)

12.70

(0.500)

min.

0.41 (0.016)

0.53 (0.021)

dia.

N-Channel MOSFET.

V_DSS= 200V

5.08 (0.200)

typ.

2.54

(0.100)

I_D= 2.25A

0.74 (0.029)

1.14 (0.045)

R_DS(ON)= 1.5Ω

0.71 (0.028)

0.53 (0.021)

All Semelab hermetically sealed products can be

processed in accordance with the requirements

of BS, CECC and JAN, JANTX, JANTXV and

JANS specifications.

45°

TO39 (TO205AF)

PINOUTS

1 – Source

2 – Gate

3 - Drain

Parameter

Min.

Typ.

Max.

200

2.25

Units

V_DSS

I_D

Drain – Source Breakdown Voltage

Continuous Drain Current

Power Dissipation

P_D

R_DS(ON)

C_ISS

Q_g

Static Drain – Source On–State Resistance

Input Capacitance

1.5

Ω

140

Total Gate Charge

6.2

t_td(on)

t_tr

t_td(off)

t_f

Turn–On Delay Time

Rise Time

Turn–Off Delay Time

Fall Time

This is a shortform datasheet. For a full datasheet please contact sales@semelab.co.uk.

Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed

to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.

Semelab plc.

Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk

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11-Oct-02

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与IRFF210相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFF210R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 2.2A I(D) \| TO-205AF
IRFF211	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRFF211R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 2.2A I(D) \| TO-205AF
IRFF212	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 200V 7.5A 3-Pin TO-39
IRFF212R	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 200V 7.5A 3-Pin TO-39
IRFF213	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 150V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFF213	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 150V 7.5A 3-Pin TO-39
IRFF213R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 1.8A I(D) \| TO-205AF
IRFF220	SEME-LAB	获取价格	N–CHANNEL POWER MOSFET
IRFF220	INTERSIL	获取价格	3.5A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET

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