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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.89 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 69 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7 A | 最大漏极电流 (ID)： | 7 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.25 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-205AF | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 25 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 28 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 250 ns | 最大开启时间（吨）： | 200 ns |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IRFF133 | GE | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS |
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| IRFF133R | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-205AF |
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| IRFF210 | INTERSIL | 2.2A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
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| IRFF210 | INFINEON | REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET剖T |
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| IRFF210 | SEME-LAB | N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 |
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| IRFF210 | VISHAY | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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