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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.72 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 69 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8 A | 最大漏源导通电阻： | 0.18 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-205AF |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 25 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 32 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 250 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 200 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFF131 | GE |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS |
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| IRFF131 | ROCHESTER |
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8A, 80V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
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| IRFF131R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-205AF |
|
| IRFF132 | GE |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS |
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| IRFF132R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-205AF |
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| IRFF133 | GE |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS |
|
| IRFF133R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-205AF |
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| IRFF210 | INTERSIL |
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2.2A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
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| IRFF210 | INFINEON |
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REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET剖T |
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| IRFF210 | SEME-LAB |
获取价格 |
N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 |
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