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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6788E | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6788E3 | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2N6788EA | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6788EAPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6788EB | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6788EC | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6788ECPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6788ED | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6788L | SEME-LAB |
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N-Channel MOSFET |
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| 2N6788LCC4 | SEME-LAB |
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N-CHANNEL POWER MOSFET ENHANCEMENT MODE |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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