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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6782TXV | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2N6782TXV | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2N6782U | MICROSEMI |
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N-CHANNEL MOSFET |
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| 2N6783 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-39 |
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| 2N6784 | SEME-LAB |
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N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 Metal Package |
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| 2N6784 | MICROSEMI |
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N-CHANNEL MOSFET |
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| 2N6784 | FAIRCHILD |
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2.25A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
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| 2N6784 | NJSEMI |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE |
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| 2N6784 | INFINEON |
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200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6784 with Hermetic Packagi |
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| 2N6784PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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