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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6782 | MICROSEMI |
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N-CHANNEL MOSFET |
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| 2N6782 | SEME-LAB |
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N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 2N6782 | NJSEMI |
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N-CHANNEL POWER MOSFET ENHANCEMENT MODE |
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| 2N6782 | INFINEON |
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100V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6782 with Hermetic Packagi |
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| 2N6782_01 | SEME-LAB |
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N–CHANNEL POWER MOSFET ENHANCEMENT MODE |
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| 2N6782_11 | MICROSEMI |
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N-CHANNEL MOSFET |
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| 2N6782_12 | MAS |
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This family of 2N6782, 2N6784 and 2N6786 switching transistors are military qualified up t |
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| 2N6782E3 | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor |
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| 2N6782EBPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6782EC | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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