Datasheet > 2N6770

2N6770

更新时间： 2024-11-24 05:56:31

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
2页	109K
描述
N-CHANNEL MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N6770 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.27	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A
最大漏极电流 (ID)：	12 A	最大漏源导通电阻：	0.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-204AE
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD OVER NICKEL	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

2N6770 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

N-CHANNEL MOSFET

Qualified per MIL-PRF-19500/543

DEVICES

LEVELS

2N6770

2N6770T1

JAN

JANTX

JANTXV

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Drain – Source Voltage

Symbol

V_DS

Value

500

Unit

Vdc

Gate – Source Voltage

V_GS

± 20

Continuous Drain Current

I_D1

I_D2

Adc

T_C= +25°C

Continuous Drain Current

7.75

T_C= +100°C

Max. Power Dissipation

P_tl

150 ⁽¹⁾

0.4 ⁽²⁾

Drain to Source On State Resistance

Operating & Storage Temperature

R_ds(on)

T_op, T_stg

-55 to +150

°C

Note: (1) Derated Linearly by 1.2 W/°C for T_C> +25°C

TO-204AA

(TO-3)

(2) V_GS= 10Vdc, I_D= 7.75A

2N6770

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Min.

Max.

Unit

Drain-Source Breakdown Voltage

V_GS= 0V, I_D= 1mAdc

V_(BR)DSS

500

Vdc

Gate-Source Voltage (Threshold)

_DS≥ V_GS, I_D= 0.25mA

V_DS≥ V_GS, I_D= 0.25mA, T_j= +125°C

_DS≥ V_GS, I_D= 0.25mA, T_j= -55°C

V_GS(th)1

V_GS(th)2

V_GS(th)3

2.0

1.0

4.0

5.0

Vdc

Gate Current

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

I_GSS1

I_GSS2

±100

±200

nAdc

V_GS= ±20V, V_DS= 0V, T_j= +125°C

Drain Current

_GS= 0V, V_DS= 400V

V_GS= 0V, V_DS= 400V, T_j= +125°C

TO-254AA

2N6770T1

I_DSS1

I_DSS2

0.25

µAdc

mAdc

Static Drain-Source On-State Resistance

_GS= 10V, I_D= 7.75A pulsed

r_DS(on)1

r_DS(on)2

0.4

0.5

V_GS= 10V, I_D= 12A pulsed

T_j= +125°C

V_GS= 10V, I_D= 7.75A pulsed

r_DS(on)3

0.88

Diode Forward Voltage

V_GS= 0V, I_D= 12A pulsed

V_SD

1.7

Vdc

T4-LDS-0044 Rev. 1 (072798)

Page 1 of 2

中文翻译

下载PDF

与2N6770相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N6770_10	MICROSEMI	获取价格	N-CHANNEL MOSFET
2N6770T1	MICROSEMI	获取价格	N-CHANNEL MOSFET
2N6770T1E3	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
2N6771	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 300V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-220AB
2N6771-6200	RENESAS	获取价格	1A, 300V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2N6771-6203	RENESAS	获取价格	1A, 300V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2N6771-6226	RENESAS	获取价格	1A, 300V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2N6771-6258	RENESAS	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
2N6771-6261	RENESAS	获取价格	1A, 300V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2N6771-6264	RENESAS	获取价格	1A, 300V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB

与2N6770相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

38
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

30
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

58
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

54

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2N6770

2N6770 技术参数

2N6770 数据手册

与2N6770相关器件

与2N6770相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2N6770

2N6770 技术参数

2N6770 数据手册

与2N6770相关器件

与2N6770相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？