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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.77 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 基于收集器的最大容量： | 60 pF | 集电极-发射极最大电压： | 300 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 40 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 3100 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 450 ns | VCEsat-Max： | 1 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N6771-DR6280 | RENESAS | 1A, 300V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6772 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-220AB |
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| 2N6772-6200 | RENESAS | 1A, 350V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6772-6203 | RENESAS | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2N6772-6258 | RENESAS | 1A, 350V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6772-6263 | RENESAS | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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