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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.81 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 8 A |
| 基于收集器的最大容量： | 300 pF | 集电极-发射极最大电压： | 350 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| 最大降落时间（tf）： | 400 ns | JEDEC-95代码： | TO-3 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 最大上升时间（tr）： | 500 ns |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 15 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 2900 ns | 最大开启时间（吨）： | 600 ns |
| VCEsat-Max： | 2 V |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N6772-6200 | RENESAS | 1A, 350V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6772-6203 | RENESAS | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2N6772-6258 | RENESAS | 1A, 350V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6772-6263 | RENESAS | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2N6772-6264 | RENESAS | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2N6772-DR6259 | RENESAS | 1A, 350V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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