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2N6766T1E3

更新时间： 2024-02-19 16:31:32

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		/
页数	文件大小	规格书
9页	960K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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2N6766T1E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.63	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	30 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

2N6766T1E3 数据手册

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与2N6766T1E3相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N6766TXV	MICROSEMI	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
2N6767	NJSEMI	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE	获取价格
2N6767	IXYS	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET	获取价格
2N6767	FAIRCHILD	N-Channel Power MOSFETs, 15A, 350V/400V	获取价格
2N6768	MICROSEMI	N-CHANNEL MOSFET	获取价格
2N6768	IXYS	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET	获取价格

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