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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.64 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 14 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6769 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 12A, 450V/500V |
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| 2N6769 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| 2N6769 | NJSEMI |
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FET DEVICES WITH N_CHANNEL POLARITY |
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| 2N677 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-3 |
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| 2N6770 | NJSEMI |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET |
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| 2N6770 | INFINEON |
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500V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-204AA package - A 2N6770 with Hermetic Packagi |
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| 2N6770 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 12A, 450V/500V |
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| 2N6770 | MICROSEMI |
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N-CHANNEL MOSFET |
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| 2N6770_10 | MICROSEMI |
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N-CHANNEL MOSFET |
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| 2N6770T1 | MICROSEMI |
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N-CHANNEL MOSFET |
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