是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-3 |
包装说明: | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.08 |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 11.3 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 400 V | 最大漏极电流 (ID): | 14 A |
最大漏源导通电阻: | 0.4 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-204AA | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 56 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N6768_10 | MICROSEMI |
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N-CHANNEL MOSFET | |
2N6768T1 | MICROSEMI |
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N-CHANNEL MOSFET | |
2N6768T1E3 | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | |
2N6769 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 12A, 450V/500V | |
2N6769 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | |
2N6769 | NJSEMI |
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FET DEVICES WITH N_CHANNEL POLARITY | |
2N677 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-3 | |
2N6770 | NJSEMI |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET | |
2N6770 | INFINEON |
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500V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-204AA package - A 2N6770 with Hermetic Packagi | |
2N6770 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 12A, 450V/500V |