生命周期: | Transferred | 包装说明: | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.63 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | RADIATION HARDENED | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 200 V |
最大漏极电流 (ID): | 30 A | 最大漏源导通电阻: | 0.085 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 500 pF |
JEDEC-95代码: | TO-204AE | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 150 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 60 A |
认证状态: | Not Qualified | 参考标准: | MILITARY STANDARD (USA) |
表面贴装: | NO | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | BOTTOM | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 最大关闭时间(toff): | 225 ns |
最大开启时间(吨): | 135 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N6767 | NJSEMI | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE |
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2N6767 | IXYS | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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2N6767 | FAIRCHILD | N-Channel Power MOSFETs, 15A, 350V/400V |
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2N6768 | MICROSEMI | N-CHANNEL MOSFET |
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2N6768 | IXYS | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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2N6768 | NJSEMI | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE |
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