2N6766TXV

更新时间： 2024-01-14 18:40:44

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美高森美 - MICROSEMI		/
页数	文件大小	规格书
5页	240K
描述
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE,

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2N6766TXV 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.63	Is Samacsys：	N
其他特性：	RADIATION HARDENED	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (ID)：	30 A	最大漏源导通电阻：	0.085 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	500 pF
JEDEC-95代码：	TO-204AE	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	150 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	MILITARY STANDARD (USA)
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	225 ns
最大开启时间（吨）：	135 ns	Base Number Matches：	1

2N6766TXV 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http://www.microsemi.com

Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland

Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298

PACKAGE DIMENSIONS

Dimensions

Millimeters

Ltr

Inches

Notes

Min

Max

.875

.360

.525

.188

.135

.063

.043

.500

.050

.161

1.197

.440

.225

.675

Min

Max

22.23

9.15

HR₁

.250

.495

.131

.060

.057

.038

.312

6.35

12.57

3.33

1.52

1.45

0.97

7.92

13.3

4.78

3.43

1.60

1.10

L₁

12.70

1.27

MHD

MHS

.151

3.84

29.90

10.67

5.21

4.09

1.177

.420

.205

.655

30.40

11.18

5.72

PS₁

16.64

17.15

NOTES:

1. Dimensions are in inches.

2. Millimeters are given for general information only.

3. These dimensions shall be measured at points .050 inch (1.27 mm) and .055 inch (1.40 mm) below the seating plane. When

gauge is not used, measurement will be made at the seating plane.

4. The seating plane of the header shall be flat within .001 inch (0.03 mm) concave to .004 inch (0.10 mm) convex inside a

.930 inch (23.62 mm) diameter circle on the center of the header and flat within .001 inch (0.03 mm) concave to .006 inch

(0.15 mm) convex overall.

5. These dimensions pertain to the 2N6764 and 2N6766 types.

6. These dimensions pertain to the 2N6768 and 2N6770 types.

7. Mounting holes shall be deburred on the seating plane side.

8. Drain is electrically connected to the case.

9. In accordance with ASME Y14.5M, diameters are equivalent to φx symbology.

FIGURE 1. Physical dimensions of transistor types 2N6764 and 2N6766 TO-204AE;

for types 2N6768 and 2N6770, TO-204AA

T4-LDS-0044 Rev. 2 (101484)

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2N6767	IXYS	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET	获取价格
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2N6768	MICROSEMI	N-CHANNEL MOSFET	获取价格
2N6768	IXYS	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET	获取价格
2N6768	NJSEMI	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE	获取价格

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