2N6766T1

更新时间： 2024-11-24 07:29:11

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
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N-CHANNEL MOSFET

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2N6766T1 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-254AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.63	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	30 A
最大漏极电流 (ID)：	30 A	最大漏源导通电阻：	0.065 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-254AA
JESD-30 代码：	S-XSFM-P3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N6766T1 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http://www.microsemi.com

Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland

Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298

N-CHANNEL MOSFET

Qualified per MIL-PRF-19500/543

DEVICES

LEVELS

JAN

2N6764

2N6764T1

JANTX

JANTXV

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Drain – Source Voltage

Symbol

Value

Unit

V_DS

V_GS

100

Vdc

Gate – Source Voltage

± 20

Continuous Drain Current

I_D1

I_D2

P_tl

Adc

T_C= +25°C

T_C= +100°C

T_C= +25°C

Continuous Drain Current

Max. Power Dissipation

150 ⁽¹⁾

2N6764

TO-204AE (TO-3)

Drain to Source On State Resistance

Operating & Storage Temperature

R_ds(on)

0.055 ⁽²⁾

T_op, T_stg

-55 to +150

°C

Note: (1) Derated Linearly by 1.2 W/°C for T_C> +25°C

(2) V_GS= 10Vdc, I_D= 24A

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions Symbol Min. Max.

OFF CHARACTERTICS

Drain-Source Breakdown Voltage

Unit

Vdc

V_(BR)DSS

100

_GS= 0V, I_D= 1mAdc

Gate-Source Voltage (Threshold)

V_DS≥ V_GS, I_D= 0.25mA

V_GS(th)1

V_GS(th)2

V_GS(th)3

2.0

1.0

4.0

5.0

2N6764T1 (TO-254AA)

_DS≥ V_GS, I_D= 0.25mA, T_j= +125°C

_DS≥ V_GS, I_D= 0.25mA, T_j= -55°C

Gate Current

_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_GS= ±20V, V_DS= 0V, T_j= +125°C

I_GSS1

I_GSS2

±100

±200

nAdc

Drain Current

_GS= 0V, V_DS= 80V

_GS= 0V, V_DS= 100V, T_j= +125°C

I_DSS1

I_DSS2

I_DSS3

1.0

µAdc

mAdc

V_GS= 0V, V_DS= 80V, T_j= +125°C

0.25 mAdc

Static Drain-Source On-State Resistance

_GS= 10V, I_D2= 24A pulsed

r_DS(on)1

r_DS(on)2

0.055

0.065

V_GS= 10V, I_D1= 38A pulsed

T_j= +125°C

_GS= 10V, I_D2= 24A pulsed

r_DS(on)3

V_SD

0.094

1.9

Diode Forward Voltage

V_GS= 0V, I_D1= 38A pulsed

Vdc

T4-LDS-0101 Rev. 2 (101484)

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