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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6766SCC5205/013 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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| 2N6766SCC5205/013PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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| 2N6766T1 | MICROSEMI |
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N-CHANNEL MOSFET |
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| 2N6766T1E3 | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| 2N6766TXV | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| 2N6767 | NJSEMI |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE |
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| 2N6767 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| 2N6767 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 15A, 350V/400V |
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| 2N6768 | MICROSEMI |
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N-CHANNEL MOSFET |
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| 2N6768 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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