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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.8 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 25 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6766 | IXYS |
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High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series |
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| 2N6766 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 30A, 150V/200V |
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| 2N6766 | MICROSEMI |
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N-CHANNEL MOSFET |
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| 2N6766 | INFINEON |
获取价格 |
200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-204AE package - A 2N6766 with Hermetic Packagi |
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| 2N6766 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-204AE |
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| 2N6766BX5 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-204AE |
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| 2N6766SCC5205/013 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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| 2N6766SCC5205/013PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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| 2N6766T1 | MICROSEMI |
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N-CHANNEL MOSFET |
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| 2N6766T1E3 | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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