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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6764E3 | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| 2N6764SCC5205/013 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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| 2N6764SCC5205/013PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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| 2N6764TXV | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| 2N6765 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 30A, 150V/200V |
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| 2N6765 | IXYS |
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High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series |
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| 2N6765 | NJSEMI |
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FET DEVICES WITH N_CHANNEL POLARITY |
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| 2N6766 | IXYS |
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High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series |
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| 2N6766 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 30A, 150V/200V |
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| 2N6766 | MICROSEMI |
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N-CHANNEL MOSFET |
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