2N6762TXV

更新时间： 2024-11-24 13:04:07

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
3页	161K
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA

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2N6762TXV 技术参数

是否无铅：	含铅	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.28	Is Samacsys：	N
其他特性：	RADIATION HARDENED	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	5.5 A	最大漏源导通电阻：	1.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-204AA
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	7 A	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	MILITARY STANDARD (USA)	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N6762TXV 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http://www.microsemi.com

N-CHANNEL MOSFET

Qualified per MIL-PRF-19500/542

DEVICES

LEVELS

JAN

2N6762

JANTX

JANTXV

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Drain – Source Voltage

Symbol

Value

Unit

V_DS

V_GS

500

±20

Vdc

Gate – Source Voltage

Continuous Drain Current

I_D1

I_D2

P_tl

4.5

3.0

Adc

T_C= +25°C

T_C= +100°C

T_C= +25°C

Continuous Drain Current

Max. Power Dissipation

75 ⁽¹⁾

TO-204AA

(TO-3)

2N6762

Drain to Source On State Resistance

Operating & Storage Temperature

R_ds(on)

1.5 ⁽²⁾

T_op, T_stg

-55 to +150

°C

Note: (1) Derated Linearly by 0.6 W/°C for T_C> +25°C

(2) V_GS= 10Vdc, I_D= 3A

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

OFF CHARACTERTICS

Drain-Source Breakdown Voltage

Symbol Min. Max.

Unit

V_(BR)DSS

500

Vdc

_GS= 0V, I_D= 1mAdc

Gate-Source Voltage (Threshold)

V_GS(th)1

V_GS(th)2

V_GS(th)3

2.0

1.0

4.0

5.0

_DS≥ V_GS, I_D= 0.25mA

_DS≥ V_GS, I_D= 0.25mA, T_j= +125°C

V_DS≥ V_GS, I_D= 0.25mA, T_j= -55°C

Gate Current

I_GSS1

I_GSS2

±100

±200

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

nAdc

_GS= ±20V, V_DS= 0V, T_j= +125°C

Drain Current

V_GS= 0V, V_DS= 400V

I_DSS1

I_DSS2

I_DSS3

1.0

µAdc

mAdc

_GS= 0V, V_DS= 500V, T_j= +125°C

_GS= 0V, V_DS= 400V, T_j= +125°C

0.25 mAdc

Static Drain-Source On-State Resistance

V_GS= 10V, I_D= 3A pulsed

r_DS(on)1

r_DS(on)2

r_DS(on)3

1.5

1.80

3.3

_GS= 10V, I_D= 4.5A pulsed

_GS= 10V, I_D= 3.0A pulsed, T_j= +125°C

Diode Forward Voltage

_GS= 0V, I_D= 4.5A pulsed

V_SD

1.4

Vdc

T4-LDS-0151 Rev. 2 (100858)

Page 1 of 3

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N6763	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Power MOSFETs, 38A, 60V/100V
2N6763	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
2N6763	NJSEMI	获取价格	FET DEVICES WITH N_CHANNEL POLARITY
2N6764	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Power MOSFETs, 38A, 60V/100V
2N6764	MICROSEMI	获取价格	N-CHANNEL MOSFET
2N6764	NJSEMI	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE
2N6764E3	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
2N6764SCC5205/013	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide
2N6764SCC5205/013PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide
2N6764TXV	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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