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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.8 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 31 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6764 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 38A, 60V/100V |
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| 2N6764 | MICROSEMI |
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N-CHANNEL MOSFET |
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| 2N6764 | NJSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE |
|
| 2N6764E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| 2N6764SCC5205/013 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
|
| 2N6764SCC5205/013PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
|
| 2N6764TXV | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| 2N6765 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 30A, 150V/200V |
|
| 2N6765 | IXYS |
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High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series |
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| 2N6765 | NJSEMI |
获取价格 |
FET DEVICES WITH N_CHANNEL POLARITY |
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