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2N6758TX

更新时间： 2024-01-05 18:08:50

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	110K
描述
9A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

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2N6758TX 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.09	其他特性：	RADIATION HARDENED
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (ID)：	9 A
最大漏源导通电阻：	0.4 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	15 A	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	MILITARY STANDARD (USA)	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N6758TX 数据手册

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与2N6758TX相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N6758TXV	RENESAS	Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal	获取价格
2N6759	FAIRCHILD	N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350V/400V	获取价格
2N6760	MICROSEMI	N-CHANNEL MOSFET	获取价格
2N6760	SEME-LAB	N-CHANNEL POWER MOSFET	获取价格
2N6760	FAIRCHILD	N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350V/400V	获取价格
2N6760	INFINEON	400V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-204AA package - A 2N6760 with Hermetic Packagi	获取价格

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