Datasheet > 2N6760

2N6760

更新时间： 2024-11-20 06:17:39

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
3页	118K
描述
N-CHANNEL MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N6760 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

N-CHANNEL MOSFET

Qualified per MIL-PRF-19500/542

DEVICES

LEVELS

2N6760

JAN

JANTX

JANTXV

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Drain – Source Voltage

Symbol

V_DS

Value

400

Unit

Vdc

Gate – Source Voltage

V_GS

± 20

Continuous Drain Current

I_D1

I_D2

P_tl

5.5

3.5

Adc

T_C= +25°C

T_C= +100°C

T_C= +25°C

Continuous Drain Current

Max. Power Dissipation

75 ⁽¹⁾

Drain to Source On State Resistance

Operating & Storage Temperature

R_ds(on)

1.0 ⁽²⁾

T_op, T_stg

-55 to +150

°C

Note: (1) Derated Linearly by 0.6 W/°C for T_C> +25°C

TO-204AA

(TO-3)

(2) V_GS= 10Vdc, I_D= 3.5A

2N6760

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Min.

Max.

Unit

Drain-Source Breakdown Voltage

V_GS= 0V, I_D= 1mAdc

V_(BR)DSS

400

Vdc

Gate-Source Voltage (Threshold)

V_GS(th)1

V_GS(th)2

V_GS(th)3

2.0

1.0

4.0

5.0

_DS≥ V_GS, I_D= 0.25mA

V_DS≥ V_GS, I_D= 0.25mA, T_j= +125°C

_DS≥ V_GS, I_D= 0.25mA, T_j= -55°C

Vdc

Gate Current

_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_GS= ±20V, V_DS= 0V, T_j= +125°C

I_GSS1

I_GSS2

±100

±200

nAdc

Drain Current

V_GS= 0V, V_DS= 320V

I_DSS1

I_DSS2

0.25

µAdc

mAdc

_GS= 0V, V_DS= 320V, T_j= +125°C

Static Drain-Source On-State Resistance

_GS= 10V, I_D= 3.5A pulsed

r_DS(on)1

r_DS(on)2

1.0

1.22

V_GS= 10V, I_D= 5.5A pulsed

T_j= +125°C

_GS= 10V, I_D= 3.5A pulsed

r_DS(on)3

V_SD

2.2

1.5

Diode Forward Voltage

V_GS= 0V, I_D= 5.5A pulsed

Vdc

T4-LDS-0152 Rev. 1 (092090)

Page 1 of 3

12 3

中文翻译

下载PDF

2N6760 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N6760	SEME-LAB	功能相似	N-CHANNEL POWER MOSFET
JANTX2N6760	INFINEON	功能相似	POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=1.00ohm, Id=5.5A)
NTE2386	NTE	功能相似	MOSFET N-Channel Enhancemen Mode, High Speed Switch

与2N6760相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N6760_1006	MICROSEMI	获取价格	N-CHANNEL MOSFET
2N6760PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2N6760TX	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2N6760TXV	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2N6761	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Power MOSFETs, 4.5A, 450V/500V
2N6762	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Power MOSFETs, 4.5A, 450V/500V
2N6762	MICROSEMI	获取价格	N-CHANNEL MOSFET
2N6762_1006	MICROSEMI	获取价格	N-CHANNEL MOSFET
2N6762PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
2N6762TXV	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与2N6760相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

24
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

16
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

48
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2N6760

2N6760 数据手册

2N6760 替代型号

与2N6760相关器件

与2N6760相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2N6760

2N6760 数据手册

2N6760 替代型号

与2N6760相关器件

与2N6760相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？