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NTE2386 PDF预览

NTE2386

更新时间： 2024-11-19 22:54:19
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NTE 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
3页 31K
描述
MOSFET N-Channel Enhancemen Mode, High Speed Switch

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NTE2386 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-204AA
包装说明：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2针数：2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.33
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：670 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A最大漏极电流 (ID)：6.2 A
最大漏源导通电阻：1.2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-3JESD-30 代码：O-MBFM-P2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：150 W
最大功率耗散 (Abs)：150 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：25 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：320 ns
最大开启时间（吨）：210 nsBase Number Matches：1

NTE2386 数据手册

 浏览型号NTE2386的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTE2386的Datasheet PDF文件第3页 
NTE2386  
MOSFET  
N–Channel Enhancemen Mode,  
High Speed Switch  
Description:  
The NTE2386 Power MOSFET features advantages such as voltage control, very fast switching,  
ease of paralleling and temperature stability, and is suited for applications such as switching power  
supplies, motor controls, inverters, choppers, audio amplifiers, and high energy pulse circuits.  
Features:  
• Repetitive Avalanche Ratings  
• Dynamic dv/dt Rating  
• Simple Drive Requirements  
• Ease of Paralleling  
Absolute Maximum Ratings:  
Continuous Drain Current, ID  
(TC = +25°C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.2A  
(TC = +100°C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.8A  
Pulsed Drain Current (Note 1), IDM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25A  
Maximum Power Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125W  
(Derate linearly above +25°C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0W/°C  
Gate–to–Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V  
Single Pulse Avalanche Energy (Note 2), EAS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 670mJ  
Avalanche Current (Repetitive or Non–Repetitive, Note 1), IAR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.2A  
Repetitive Avalanche Energy (Note 1), EAR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13mJ  
Peak Diode Recovery (Note 3), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.0V/mS  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Lead Temperature (During Soldering, 0.063 in. (1.6mm) from case for 10s), TL . . . . . . . . . . +300°C  
123

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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