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2N6758

更新时间： 2024-01-20 03:26:33

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管开关脉冲局域网
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3页	160K
描述
N-CHANNEL MOSFET

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2N6758 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.65	Is Samacsys：	N
其他特性：	RADIATION HARDENED	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (ID)：	9 A	最大漏源导通电阻：	0.4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	150 pF
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	75 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	15 A
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	MILITARY STANDARD (USA)
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	90 ns
最大开启时间（吨）：	80 ns	Base Number Matches：	1

2N6758 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

N-CHANNEL MOSFET

Qualified per MIL-PRF-19500/542

DEVICES

LEVELS

2N6758

JAN

JANTX

JANTXV

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Drain – Source Voltage

Symbol

V_DS

Value

200

Unit

Vdc

Gate – Source Voltage

V_GS

± 20

Continuous Drain Current

I_D1

I_D2

P_tl

Adc

T_C= +25°C

T_C= +100°C

T_C= +25°C

Continuous Drain Current

Max. Power Dissipation

75 ⁽¹⁾

Drain to Source On State Resistance

Operating & Storage Temperature

R_ds(on)

0.4 ⁽²⁾

T_op, T_stg

-55 to +150

°C

Note: (1) Derated Linearly by 0.6 W/°C for T_C> +25°C

TO-204AA

(TO-3)

(2) V_GS= 10Vdc, I_D= 6A

2N6758

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Min.

Max.

Unit

Drain-Source Breakdown Voltage

V_GS= 0V, I_D= 1mAdc

V_(BR)DSS

200

Vdc

Gate-Source Voltage (Threshold)

_DS≥ V_GS, I_D= 0.25mA

V_DS≥ V_GS, I_D= 0.25mA, T_j= +125°C

_DS≥ V_GS, I_D= 0.25mA, T_j= -55°C

V_GS(th)1

V_GS(th)2

V_GS(th)3

2.0

1.0

4.0

5.0

Vdc

Gate Current

_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_GS= ±20V, V_DS= 0V, T_j= +125°C

I_GSS1

I_GSS2

±100

±200

nAdc

Drain Current

_GS= 0V, V_DS= 160V

I_DSS1

I_DSS2

0.25

µAdc

mAdc

V_GS= 0V, V_DS= 160V, T_j= +125°C

Static Drain-Source On-State Resistance

V_GS= 10V, I_D= 6A pulsed

r_DS(on)1

r_DS(on)2

0.4

0.49

_GS= 10V, I_D= 9A pulsed

T_j= +125°C

_GS= 10V, I_D= 6A pulsed

r_DS(on)3

0.8

1.6

Diode Forward Voltage

V_GS= 0V, I_D= 9A pulsed

V_SD

Vdc

T4-LDS-0112 Rev. 2 (092088)

Page 1 of 3

12 3

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与2N6758相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N6758TX	RENESAS	9A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA	获取价格
2N6758TXV	RENESAS	Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal	获取价格
2N6759	FAIRCHILD	N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350V/400V	获取价格
2N6760	MICROSEMI	N-CHANNEL MOSFET	获取价格
2N6760	SEME-LAB	N-CHANNEL POWER MOSFET	获取价格
2N6760	FAIRCHILD	N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350V/400V	获取价格

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