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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF1010NSPBF
IRF1010NSPBF PDF预览

IRF1010NSPBF

更新时间： 2024-11-18 04:23:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
11页 293K
描述
HEXFET㈢ Power MOSFET

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IRF1010NSPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：7.43
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：250 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：84 A
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.011 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：170 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：290 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF1010NSPBF 数据手册

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PD - 95103  
IRF1010NSPbF  
IRF1010NLPbF  
l Advanced Process Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dynamic dv/dt Rating  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
HEXFET® Power MOSFET  
D
VDSS = 55V  
l Fully Avalanche Rated  
l Lead-Free  
RDS(on) = 11mΩ  
G
Description  
ID = 85A‡  
Advanced HEXFET® Power MOSFETs from  
International Rectifier utilize advanced processing  
techniques to achieve extremely low on-resistance per  
siliconarea. Thisbenefit,combinedwiththefastswitching  
speed and ruggedized device design that HEXFET  
power MOSFETs are well known for, provides the  
designer with an extremely efficient and reliable device  
for use in a wide variety of applications.  
S
The D2Pak is a surface mount power package capable of  
accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the  
highest power capability and the lowest possible on-  
resistance in any existing surface mount package. The  
D2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofits  
low internal connection resistance and can dissipate up to  
2.0W in a typical surface mount application.  
2
TO-262  
IRF1010NLPbF  
D
Pak  
IRF1010NSPbF  
The through-hole version (IRF1010NL) is available for low-  
profile applications.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V ˆ  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V ˆ  
Pulsed Drain Current ˆ  
85‡  
60  
A
290  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
180  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
1.2  
VGS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
Avalanche Current  
43  
18  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒˆ  
Operating Junction and  
mJ  
V/ns  
3.6  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 srew  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
0.85  
Units  
RθJC  
RθJA  
Junction-to-Ambient ( PCB Mounted,steady-state)**  
–––  
40  
°C/W  
www.irf.com  
1
03/11/04  
1234567...11

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IRF1010NSPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF1010NSTRLPBF INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFZ44ZSPBF INFINEON

类似代替

 HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) =
IRFZ44VZSPBF INFINEON

类似代替

 HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) =

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF1010NSTRL ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 84A I(D) | TO-263AB
IRF1010NSTRLPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF1010NSTRR ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 84A I(D) | TO-263AB
IRF1010NSTRRPBF INFINEON

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 		暂无描述
IRF1010S INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF1010STRL INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF1010STRLPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF1010STRR INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF1010STRRPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF1010Z INFINEON

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 		AUTOMOTIVE MOSFET

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