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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | LEAD FREE, TO-262, 3 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 8.45 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 88 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 79 A | 最大漏极电流 (ID)： | 79 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0084 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-262AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 110 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 315 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF1018ESPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF1018ESTRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 79A I(D), 60V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF103IPBF | INFINEON |
获取价格 |
Adavanced Process Technology |
|
| IRF10N40 | SUNTAC |
获取价格 |
POWER MOSFET |
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| IRF-11.010% | VISHAY |
获取价格 |
General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 1 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
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| IRF-11.0UH+-10%ERE2 | VISHAY |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 1uH, 10%, Ferrite-Core, |
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| IRF-11.2+/-10% | VISHAY |
获取价格 |
General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 1.2 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, AXIAL L |
|
| IRF-11.2UH+-10%B08 | VISHAY |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 1.2uH, 10%, Ferrite-Core, |
|
| IRF-11.2UH+-10%EVE2 | VISHAY |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 1.2uH, 10%, Ferrite-Core, |
|
| IRF-11.2UH+-5%RJ1 | VISHAY |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 1.2uH, 5%, Ferrite-Core, |
|
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