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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF1018ESPBF
IRF1018ESPBF PDF预览

IRF1018ESPBF

更新时间： 2024-02-12 05:07:55
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
11页 430K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRF1018ESPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, D2PAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：6.99
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：88 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：79 A
最大漏极电流 (ID)：79 A最大漏源导通电阻：0.0084 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：110 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：315 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF1018ESPBF 数据手册

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PD - 97125  
IRF1018EPbF  
IRF1018ESPbF  
IRF1018ESLPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l High Efficiency Synchronous Rectification in  
D
S
SMPS  
VDSS  
RDS(on) typ.  
max.  
60V  
l Uninterruptible Power Supply  
l High Speed Power Switching  
l Hard Switched and High Frequency Circuits  
7.1m  
8.4m  
:
:
G
ID  
79A  
Benefits  
l Improved Gate, Avalanche and Dynamic  
dv/dt Ruggedness  
l Fully Characterized Capacitance and  
Avalanche SOA  
D
D
D
l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt  
Capability  
S
S
S
D
D
D
G
G
G
D2Pak  
IRF1018ESPbF  
TO-262  
IRF1018ESLPbF  
TO-220AB  
IRF1018EPbF  
G
D
S
Gate  
Drain  
Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Parameter  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current c  
Max.  
79  
Units  
56  
A
315  
110  
0.76  
± 20  
21  
PD @TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
W
W/°C  
V
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
Peak Diode Recovery e  
dv/dt  
TJ  
V/ns  
°C  
-55 to + 175  
Operating Junction and  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
(1.6mm from case)  
300  
10lbxin (1.1Nxm)  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw k  
Avalanche Characteristics  
Single Pulse Avalanche Energy d  
EAS (Thermally limited)  
88  
47  
11  
mJ  
A
Avalanche Current c  
IAR  
Repetitive Avalanche Energy f  
EAR  
mJ  
Thermal Resistance  
Symbol  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
RθJA  
Junction-to-Case j  
1.32  
–––  
62  
Case-to-Sink, Flat Greased Surface , TO-220  
Junction-to-Ambient, TO-220 j  
Junction-to-Ambient (PCB Mount) , D2Pak ij  
0.50  
–––  
°C/W  
–––  
40  
www.irf.com  
1
2/28/08  
1234567...11

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IRF1018ESPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF1018ESTRLPBF INFINEON

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IRF10N40 SUNTAC

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 		POWER MOSFET
IRF-11.010% VISHAY

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 		General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 1 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR
IRF-11.0UH+-10%ERE2 VISHAY

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 		General Purpose Inductor, 1uH, 10%, Ferrite-Core,
IRF-11.2+/-10% VISHAY

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 		General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 1.2 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, AXIAL L
IRF-11.2UH+-10%B08 VISHAY

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 		General Purpose Inductor, 1.2uH, 10%, Ferrite-Core,
IRF-11.2UH+-10%EVE2 VISHAY

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