5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF1010ZSPBF
IRF1010ZSPBF PDF预览

IRF1010ZSPBF

更新时间： 2024-11-18 04:23:15
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
13页 355K
描述
HEXFET㈢ Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRF1010ZSPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.02
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：130 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：75 A最大漏极电流 (ID)：75 A
最大漏源导通电阻：0.0075 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：140 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：360 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF1010ZSPBF 数据手册

 浏览型号IRF1010ZSPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF1010ZSPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF1010ZSPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF1010ZSPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF1010ZSPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF1010ZSPBF的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 95361  
IRF1010ZPbF  
IRF1010ZSPbF  
IRF1010ZLPbF  
AUTOMOTIVE MOSFET  
Features  
HEXFET® Power MOSFET  
l
l
l
l
l
Advanced Process Technology  
D
Ultra Low On-Resistance  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
VDSS = 55V  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
RDS(on) = 7.5mΩ  
G
l
Lead-Free  
Description  
ID = 75A  
Specifically designed for Automotive applications,  
S
this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest  
processingtechniquestoachieveextremelylowon-  
resistance per silicon area. Additional features of  
thisdesign area175°Cjunctionoperatingtempera-  
ture, fast switching speed and improved repetitive  
avalanche rating . These features combine to make  
thisdesignanextremelyefficientandreliabledevice  
foruseinAutomotiveapplicationsandawidevariety  
of other applications.  
D2Pak  
IRF1010ZS  
TO-262  
IRF1010ZL  
TO-220AB  
IRF1010Z  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
94  
Units  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)  
Pulsed Drain Current  
I
I
I
I
@ T = 25°C  
C
D
D
D
@ T = 100°C  
C
66  
A
@ T = 25°C  
C
75  
360  
140  
DM  
P
@T = 25°C  
Power Dissipation  
C
W
D
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy  
0.90  
± 20  
W/°C  
V
V
GS  
EAS (Thermally limited)  
130  
180  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
EAS (Tested )  
IAR  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
Repetitive Avalanche Energy  
EAR  
mJ  
T
J
Operating Junction and  
-55 to + 175  
T
Storage Temperature Range  
°C  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf in (1.1N m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
1.11  
–––  
62  
Units  
°C/W  
RθJC  
Junction-to-Case  
RθCS  
RθJA  
RθJA  
0.50  
–––  
Case-to-Sink, Flat Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
–––  
40  
Junction-to-Ambient (PCB Mount)  
www.irf.com  
1
6/3/04  
1234567...13

中文翻译

下载PDF

IRF1010ZSPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF1010ZSTRRPBF INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF1010ZSTRLPBF INFINEON

类似代替

 暂无描述
AUIRF1010ZS INFINEON

类似代替

 HEXFET® Power MOSFET

与IRF1010ZSPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF1010ZSTRLPBF INFINEON

获取价格

 		暂无描述
IRF1010ZSTRR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF1010ZSTRRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF1018E INFINEON

获取价格

 		The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim
IRF1018EPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRF1018ES INFINEON

获取价格

 		60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装
IRF1018ESLPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRF1018ESPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRF1018ESTRLPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 79A I(D), 60V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF103IPBF INFINEON

获取价格

 		Adavanced Process Technology

与IRF1010ZSPBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证