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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF1018EPBF
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IRF1018EPBF

更新时间： 2024-11-18 04:23:15
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英飞凌 - INFINEON /
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描述
HEXFET Power MOSFET

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PD - 97125  
IRF1018EPbF  
IRF1018ESPbF  
IRF1018ESLPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l High Efficiency Synchronous Rectification in  
D
S
SMPS  
VDSS  
RDS(on) typ.  
max.  
60V  
l Uninterruptible Power Supply  
l High Speed Power Switching  
l Hard Switched and High Frequency Circuits  
7.1m  
8.4m  
:
:
G
ID  
79A  
Benefits  
l Improved Gate, Avalanche and Dynamic  
dv/dt Ruggedness  
l Fully Characterized Capacitance and  
Avalanche SOA  
D
D
D
l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt  
Capability  
S
S
S
D
D
D
G
G
G
D2Pak  
IRF1018ESPbF  
TO-262  
IRF1018ESLPbF  
TO-220AB  
IRF1018EPbF  
G
D
S
Gate  
Drain  
Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Parameter  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current c  
Max.  
79  
Units  
56  
A
315  
110  
0.76  
± 20  
21  
PD @TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
W
W/°C  
V
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
Peak Diode Recovery e  
dv/dt  
TJ  
V/ns  
°C  
-55 to + 175  
Operating Junction and  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
(1.6mm from case)  
300  
10lbxin (1.1Nxm)  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw k  
Avalanche Characteristics  
Single Pulse Avalanche Energy d  
EAS (Thermally limited)  
88  
47  
11  
mJ  
A
Avalanche Current c  
IAR  
Repetitive Avalanche Energy f  
EAR  
mJ  
Thermal Resistance  
Symbol  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
RθJA  
Junction-to-Case j  
1.32  
–––  
62  
Case-to-Sink, Flat Greased Surface , TO-220  
Junction-to-Ambient, TO-220 j  
Junction-to-Ambient (PCB Mount) , D2Pak ij  
0.50  
–––  
°C/W  
–––  
40  
www.irf.com  
1
2/28/08  
1234567...11

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IRF1018EPBF 替代型号

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IRF-11.010% VISHAY

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 		General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 1 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR
IRF-11.0UH+-10%ERE2 VISHAY

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 		General Purpose Inductor, 1uH, 10%, Ferrite-Core,
IRF-11.2+/-10% VISHAY

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 		General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 1.2 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, AXIAL L
IRF-11.2UH+-10%B08 VISHAY

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