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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF1010ZPBF
IRF1010ZPBF PDF预览

IRF1010ZPBF

更新时间： 2024-11-21 04:23:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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13页 355K
描述
HEXFET㈢ Power MOSFET

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IRF1010ZPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：0.69Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：130 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：75 A
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.0075 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：140 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：360 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF1010ZPBF 数据手册

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PD - 95361  
IRF1010ZPbF  
IRF1010ZSPbF  
IRF1010ZLPbF  
AUTOMOTIVE MOSFET  
Features  
HEXFET® Power MOSFET  
l
l
l
l
l
Advanced Process Technology  
D
Ultra Low On-Resistance  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
VDSS = 55V  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
RDS(on) = 7.5mΩ  
G
l
Lead-Free  
Description  
ID = 75A  
Specifically designed for Automotive applications,  
S
this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest  
processingtechniquestoachieveextremelylowon-  
resistance per silicon area. Additional features of  
thisdesign area175°Cjunctionoperatingtempera-  
ture, fast switching speed and improved repetitive  
avalanche rating . These features combine to make  
thisdesignanextremelyefficientandreliabledevice  
foruseinAutomotiveapplicationsandawidevariety  
of other applications.  
D2Pak  
IRF1010ZS  
TO-262  
IRF1010ZL  
TO-220AB  
IRF1010Z  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
94  
Units  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)  
Pulsed Drain Current  
I
I
I
I
@ T = 25°C  
C
D
D
D
@ T = 100°C  
C
66  
A
@ T = 25°C  
C
75  
360  
140  
DM  
P
@T = 25°C  
Power Dissipation  
C
W
D
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy  
0.90  
± 20  
W/°C  
V
V
GS  
EAS (Thermally limited)  
130  
180  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
EAS (Tested )  
IAR  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
Repetitive Avalanche Energy  
EAR  
mJ  
T
J
Operating Junction and  
-55 to + 175  
T
Storage Temperature Range  
°C  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf in (1.1N m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
1.11  
–––  
62  
Units  
°C/W  
RθJC  
Junction-to-Case  
RθCS  
RθJA  
RθJA  
0.50  
–––  
Case-to-Sink, Flat Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
–––  
40  
Junction-to-Ambient (PCB Mount)  
www.irf.com  
1
6/3/04  
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IRF1010ZPBF 替代型号

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