IRF1010Z

更新时间： 2024-11-20 22:33:39

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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AUTOMOTIVE MOSFET

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IRF1010Z 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.65	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE	雪崩能效等级（Eas）：	130 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (ID)：	75 A
最大漏源导通电阻：	0.0075 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	360 A	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRF1010Z 数据手册

PD - 94652A

IRF1010Z

IRF1010ZS

IRF1010ZL

AUTOMOTIVE MOSFET

Features

HEXFET^®Power MOSFET

●

Advanced Process Technology

Ultra Low On-Resistance

175°C Operating Temperature

Fast Switching

V_DSS= 55V

Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

R_DS(on)= 7.5mΩ

Description

I_D= 75A

Specifically designed for Automotive applications,

this HEXFET^®Power MOSFET utilizes the latest

processingtechniquestoachieveextremelylowon-

resistance per silicon area. Additional features of

thisdesign area175°Cjunctionoperatingtempera-

ture, fast switching speed and improved repetitive

avalanche rating . These features combine to make

thisdesignanextremelyefficientandreliabledevice

foruseinAutomotiveapplicationsandawidevariety

of other applications.

D²Pak

TO-262

IRF1010ZL

TO-220AB

IRF1010Z

IRF1010ZS

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Silicon Limited)

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Package Limited)

Pulsed Drain Current

@ T = 25°C

@ T = 100°C

@ T = 25°C

360

140

@T = 25°C

Power Dissipation

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy

0.90

± 20

W/°C

E_{AS (Thermally limited)}

130

180

Single Pulse Avalanche Energy Tested Value

Avalanche Current

E_AS(Tested )

I_AR

See Fig.12a, 12b, 15, 16

Repetitive Avalanche Energy

E_AR

Operating Junction and

-55 to + 175

Storage Temperature Range

°C

STG

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting Torque, 6-32 or M3 screw

300 (1.6mm from case )

10 lbf in (1.1N m)

Thermal Resistance

Parameter

Typ.

–––

Max.

1.11

–––

Units

°C/W

R_θJC

Junction-to-Case

R_θCS

R_θJA

0.50

–––

Case-to-Sink, Flat Greased Surface

Junction-to-Ambient

–––

Junction-to-Ambient (PCB Mount)

www.irf.com

9/8/03

12 3 4 5 6 7...12

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IRF1010Z 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRF1010ZPBF	INFINEON	类似代替	HEXFET㈢ Power MOSFET
AUIRF1010Z	INFINEON	功能相似	HEXFET® Power MOSFET
STD1NB80	STMICROELECTRONICS	功能相似	N - CHANNEL 800V - 16ohm - 1A - DPAK/IPAK PowerMESH MOSFET

与IRF1010Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF1010ZL	INFINEON	获取价格	AUTOMOTIVE MOSFET
IRF1010ZLPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF1010ZPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF1010ZS	INFINEON	获取价格	AUTOMOTIVE MOSFET
IRF1010ZSPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF1010ZSTRLPBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRF1010ZSTRR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF1010ZSTRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF1018E	INFINEON	获取价格	The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim
IRF1018EPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET

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