5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF1010STRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF1010Z | INFINEON |
获取价格 |
AUTOMOTIVE MOSFET |
|
| IRF1010ZL | INFINEON |
获取价格 |
AUTOMOTIVE MOSFET |
|
| IRF1010ZLPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
|
| IRF1010ZPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
|
| IRF1010ZS | INFINEON |
获取价格 |
AUTOMOTIVE MOSFET |
|
| IRF1010ZSPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
|
| IRF1010ZSTRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRF1010ZSTRR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF1010ZSTRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
