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IRF1010EZSTRRPBF PDF预览

IRF1010EZSTRRPBF

更新时间： 2024-11-18 14:51:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 398K
描述
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

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IRF1010EZSTRRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.03
其他特性：AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：99 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：75 A
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.0085 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：140 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：340 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF1010EZSTRRPBF 数据手册

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PD - 95483B  
IRF1010EZPbF  
AUTOMOTIVE MOSFET  
IRF1010EZSPbF  
IRF1010EZLPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Features  
Advanced Process Technology  
Ultra Low On-Resistance  
Dynamic dv/dt Rating  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
D
VDSS = 60V  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free  
RDS(on) = 8.5mΩ  
G
ID = 75A  
Description  
S
SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,  
this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest  
processing techniques to achieve extremely low  
on-resistance per silicon area. Additional fea-  
tures of this design are a 175°C junction operat-  
ing temperature, fast switching speed and im-  
proved repetitive avalanche rating . These fea-  
tures combine to make this design an extremely  
efficient and reliable device for use in Automotive  
applications and a wide variety of other applica-  
tions.  
D2Pak  
TO-262  
TO-220AB  
IRF1010EZPbF  
IRF1010EZSPbF IRF1010EZLPbF  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
84  
Units  
A
I
I
I
I
@ TC = 25°C  
@ TC = 100°C  
@ TC = 25°C  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
D
D
D
60  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (See Fig. 9)  
75  
(Package Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
340  
140  
DM  
P
@TC = 25°C  
W
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
D
0.90  
± 20  
W/°C  
V
V
Gate-to-Source Voltage  
GS  
EAS  
99  
180  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited)  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
EAS (tested)  
IAR  
See Fig.12a,12b,15,16  
A
EAR  
mJ  
°C  
Repetitive Avalanche Energy  
T
J
-55 to + 175  
Operating Junction and  
T
Storage Temperature Range  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
1.11  
–––  
62  
Units  
°C/W  
Rθ  
JC  
CS  
JA  
JA  
Junction-to-Case  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
0.50  
–––  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
–––  
40  
Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
www.irf.com  
1
09/17/09  
1234567...12

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与IRF1010EZSTRRPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF1010N INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=11mohm, Id=85A
IRF1010NL INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss = 55 V, Rds(on)=11mohm, Id=
IRF1010NLPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF1010NPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRF1010NPBF KERSEMI

获取价格

 		Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance
IRF1010NS INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss = 55 V, Rds(on)=11mohm, Id=
IRF1010NSPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF1010NSTRL ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 84A I(D) | TO-263AB
IRF1010NSTRLPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF1010NSTRR ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 84A I(D) | TO-263AB

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